az 5214e 正/负可改变型光刻胶具有高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶，特别为lift-off工艺优化
az 5214e 光刻胶 产品详情
az光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。
az光刻胶特点：
适用于高分辨率工艺（lift-off工艺）
适用于正/负图形
很宽的膜厚范围
az光刻胶工艺条件：
前烘：100℃ 60秒(dhp)
曝光：1线步进式曝光机/接触式曝光机
反转烘烤：110~125℃ 90秒（dhp）：去离子水30秒
全面曝光：310~405nm(在曝光光源下全面照射)
显影：az300mif显影液 (2.38%)23℃30~60秒puddle
az developer(1:1)23℃ 60秒dipping
az 400k(1:4)23℃ 60秒dipping
清洗：去离子水30秒
后烘：120℃120秒（dhp）
剥离：az剥离液及/或氧等离子体灰化
az光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率；高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进；广泛应用于半导体行业。
光刻胶产品型号及参数
光刻胶名称 型号 匀胶厚度
merck az 正/负可转换型光刻胶 az 5214 0.5-6um
az 50xt 正胶 az 50xt 40-80um
az 9260 正胶 az 9260 6.2-15um
az 4620 光刻胶 az 4620 10-15um
microchem su-8 负胶 su-8 2015 13-38um
microchem su-8 负胶 su-8 2050 40-170um
microchem su-8 负胶 su-8 2075 60-240um
microchem su-8 负胶 su-8 2150 190-650um
microchem su-8 负胶 su-8 3010 8-15um
microchem su-8 负胶 su-8 3050 44-100um
az光刻胶其他参数及说明：
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